半导体制造中传统的平坦化技术
20世纪70年代出现了多层金属技术，但伴随其出现的较大的表面起伏也成为了亚微米图形制作的不利因素，如下图所示。 … 阅读更多
Process
关于IC版图中的metal slot和metal density
在IC版图[layout]时，Design Rules中往往会注明金属线大于一定宽度时要挖slot，同时也会对 … 阅读更多
POLYCIDE与SALICIDE结构,制程及性能详细对比
之前有篇《SILICIDE、SALICIDE和POLYCIDE工艺的整理》中已经对POLYCIDE与SALIC … 阅读更多
CMOS制作基本步骤
CMOS的制作步骤是需要经过一系列的复杂的化学和物理操作最终形成集成电路。而做为一名集成电路版图（ic lay … 阅读更多
CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成
在Via-1, Plug-1及Metal-1互连形成后，接下来形成的是Via-2, Plug-2及Metal- … 阅读更多
CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成
层间介质（ILD）充当了各层金属间以及第一层金属与硅之间的介质材料。层间介质上有许多小的通孔，这些层间介质上的 … 阅读更多
