CMOS制作步骤（一）:双阱工艺

现在COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤：

■　N阱的形成

1. 外延生长     *外延层已经进行了轻的P型掺杂
2. 原氧化生长  这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染，b)阻止了在注入过程中对硅片过度损伤，c)作为氧化物层屏蔽层，有助于控制流放过程中杂质的注入深度
3. 第一层掩膜 ，n阱注入
4. n阱注放（高能）
5. 退火 退火后的四个结果：a)裸露的硅片表面生长了一层新的阴挡氧化层，b)高温使得杂质向硅中扩散c)注入引入的损伤得到修复，d)杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。

■　P阱的形成

1. 第二层掩膜， p阱注入  *P阱注入的掩膜与N阱注入的掩膜相反
2. P阱注入（高能）
3. 退火

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4. CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain  implants process）
5. CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
6. CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
7. CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
8. CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
9. CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
10. CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成（Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation）