版图

CMOS制作基本步骤

把整条生产线浓缩成 14 张“脑内卡片”，画版图时随时对照，避免踩坑。

CMOS制作中主要步骤

0. 版图与工艺的对应关系

Fab 区域 做哪几步 版图层示例
扩散区 高温氧化/退火 WELL、ACTIVE
光刻区 图形定义 POLY、METALx
刻蚀区 图形转移 POLY、CONT、VIA
离子注入区 掺杂 NIMP、PIMP
薄膜区 淀积介电/金属 VIAx、METALx
抛光区 CMP 平坦化 IMD 全局平坦

1~14 步流程总览

步骤 工艺动作 版图关注点
1 双阱注入 N-well / P-well 高能注入 阱距、隔离环
2 浅槽隔离 STI 刻槽+氧化+回填+CMP ACTIVE 尺寸、STI 宽度
3 栅结构 栅氧+Poly-Si 淀积+光刻/刻蚀 POLY 最小线宽、栅-沟道缩进
4 LDD 注入 轻掺杂浅结 LDD-OD 间距
5 侧墙 Spacer CVD 二氧化硅+各向异性刻蚀 Spacer 宽度=后续 S/D 到栅距
6 S/D 注入 中等能量深结 S/D OD 尺寸、与栅重叠
7 金属接触 Silicide 自对准硅化钨 CONT 尺寸、CONT-to-POLY 间距
8 局部互连 LI 第一层钨线 LI 线宽/间距
9~10 通孔1 + 金属1 IMD1 → VIA1 → METAL1 VIA1 覆盖、METAL1 最小线宽
11~13 上层金属/通孔 重复 2~5 层 METAL25、VIA25、压焊点
14 钝化 & 测试 钝化层开窗、探针测试 PAD 开口、测试结构

版图工程师一句话总结

“画每一层前，先问自己：这一步工艺怎么影响图形尺寸、对准、覆盖？”
把 14 步流程贴在工位，画线时实时对照，DRC/LVS 一次过。

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  2. CMOS制作步骤（二）：浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
  3. CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
  4. CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain implants process）
  5. CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
  6. CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
  7. CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
  8. CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
  9. CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
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