光刻是芯片制造的核心环节，不同的曝光方式决定了分辨率、良率和成本。本文用一张表带你快速看懂三种主流方案的差异与典型应用。
| 曝光方式 | 分辨率 | 掩膜损伤 | 量产良率 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|
| 接触式 Contact |
★★★★☆ 亚微米级 |
★☆☆☆☆ 直接接触易划伤 |
★☆☆☆☆ 易污染 |
实验室、MEMS原型、GaN功率器件小批量 |
| 接近式 Proximity |
★★☆☆☆ 受10–25 µm间隙衍射限制 |
★★★☆☆ 间隙减小损伤 |
★★☆☆☆ 间隙控制难 |
早期IC、厚胶工艺、低成本传感器 |
| 投影式 Projection |
★★★★★ 纳米级（EUV <5 nm） |
★★★★★ 无接触 |
★★★★★ 主流量产 |
逻辑/存储芯片、7 nm/5 nm先进节点 |
一句话总结
- 高精度研发 → 接触式
- 低成本小批量 → 接近式
- 大规模先进制程 → 投影式
目前投影式曝光（含i-line、KrF、ArF、EUV）已占据>95%的晶圆厂产能，是摩尔定律持续演进的关键推手。