接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式
减少芯片失效：芯片焊接（die Attach）工艺优化
在器件的生产过程中，芯片焊接是封装过程中的重点控制工序。此工艺的目的是将芯片通过融化的合金焊料粘结在引线框架上 … 阅读更多
IC
半导体工艺中几种常见的光刻方法
版图设计规则主要内容以及表示方法
什么是设计规则？考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求 … 阅读更多
晶体管的名称属性—IGBT和MCT
总的来说, 晶体管可以划分为两类：双极型晶体管(BT)和场效应晶体管(FET)。它们的基本特点分别是：双极型晶 … 阅读更多
美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管
据物理学家组织网12月6日（北京时间）报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种 … 阅读更多
CMP后清洗技术进展
摩尔定律的一个重大副作用就是从不明确地确定半导体产业中的技术问题。对目前制造节点完全适用的材料和工艺可能几年后 … 阅读更多
化学机械平坦化CMP
到了20世纪80年代后期，IBM开发了化学机械平坦化（chemical mechanical planariz … 阅读更多
半导体制造中传统的平坦化技术
20世纪70年代出现了多层金属技术，但伴随其出现的较大的表面起伏也成为了亚微米图形制作的不利因素，如下图所示。 … 阅读更多