1、驻波效应（Standing Wave Effect）
现象：在光刻胶曝光的过程中，透射光与反射光（在基底或者表面）之间会发生干涉。这种相同频率的光波之间的干涉，在光刻胶的曝光区域内出现相长相消的条纹。光刻胶在显影后，在侧壁会产生波浪状的不平整。
SILICIDE、SALICIDE和POLYCIDE工艺的整理
Silicide、Salicide和Polycide，这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅化物来降低P … 阅读更多
IC
CMOS制作步骤（一）:双阱工艺
现在COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤： ■ N阱的形成 外延生长 &nbs … 阅读更多
利用Cadence virtuoso layout edit制做pcell
基本的mos管的pcell建立 在新建的cellview中进行以下操作 Tools … 阅读更多
OPC Mask(光学临近修正掩膜)
今天做用台积0.16um工艺的一个项目Ejob View时发现有些图形会在结尾处的两个直角顶点加两个小小的图形，突然就想起来上学时学MEMS相关课程时做过的一个硅悬臂梁腐蚀的实验，正常的直角腐蚀完后会变成有损缺的圆角，而在相应的位置加上修正图形，便可得到更理想的图形，网上找了个图形，可能看不太清，将就一下
OPC，为英文Optical Proximity Correction简称，翻译成中文为光学临近修正。
半导体中的各种现象和效应
半导体中有许多现象和效应，大概如下所列：
- 强场效应
－－MOS FET的结击穿、绝缘膜击穿、热电不稳定性等 - 电场效应
－－FET（场效应晶体管）等 - 隧道效应
－－隧道二极管、齐纳二极管等
浅槽隔离工艺（STI）
相信很多在现在看工艺厂的相关文档时，会看到有些图上面标有STI的注释，STI是英文 shallow trench isolation的简称，翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离.
LOCOS之bird’s beak(鸟嘴效应)
在传统的硅的局部氧化（LOCOS）过程中，当氧扩散穿越已生长的氧化物时，它也会在其它方向上扩散。一些氧原子纵向扩散进入硅，另一些氧原子横向扩散，这样就造成氮化物掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长会装氮化物的边缘抬高。这种现现被称为“鸟嘴效应”（bird’s beak）。