接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式
金属层中的气隙（air gap）
在半导体芯片制造中，金属层中的气隙（air gap）是一个重要而又容易被忽视的问题。让我们来全面介绍一下金属气 … 阅读更多
Process
半导体芯片的切割道中不添加dummy会怎么样
在半导体芯片制造过程中，切割道（scribe line 或 street）是晶圆上用于分隔各个芯片（die）的 … 阅读更多
台积电、三星、Intel先进制程对比
台积电、三星、Intel先进制程对比，半导体评断技术实力，看的是晶体管效能、芯片金属层连结及芯片闸密度，后二者 … 阅读更多
2020年7纳米制程:摩尔定律的终点站
美国国防部先进研究项目局微系统技术办公室主管罗伯特-克罗韦尔（Robert Colwell）认为，摩尔定律的终 … 阅读更多
半导体工艺中几种常见的光刻方法
晶体管的名称属性—IGBT和MCT
总的来说, 晶体管可以划分为两类：双极型晶体管(BT)和场效应晶体管(FET)。它们的基本特点分别是：双极型晶 … 阅读更多
美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管
据物理学家组织网12月6日（北京时间）报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种 … 阅读更多
CMP后清洗技术进展
摩尔定律的一个重大副作用就是从不明确地确定半导体产业中的技术问题。对目前制造节点完全适用的材料和工艺可能几年后 … 阅读更多
化学机械平坦化CMP
到了20世纪80年代后期，IBM开发了化学机械平坦化（chemical mechanical planariz … 阅读更多