随着栅的宽度不断减小，栅结构下的沟道长度也不断的减小， 为了有效的防止短沟道效应，在集成电路制造工艺中引入了轻掺杂漏工艺（LDD），当然这一步的作用不止于此，大质量材料和表面非晶态的结合形成的浅结有助于减少源漏间的沟道漏电流效应。同时LDD也是集成电路制造基本步骤的第四步。
Process
CMOS制造中的多晶硅栅结构工艺
晶体管中的多晶硅栅(polysilicon gate)结构的制作是整个CMOS流程中最关键的一步，它的实现要经过栅氧层的形成和多晶硅栅刻蚀这两个基本过程，多晶硅栅的最小尺寸决定着一个工艺的特征尺寸，同进也为下面的源漏注入充当掩膜的作用，这也是做为IC版图工程师需要掌握的基础知识。
SILICIDE、SALICIDE和POLYCIDE工艺的整理
Silicide、Salicide和Polycide，这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅化物来降低P … 阅读更多
CMOS制作步骤（一）:双阱工艺
现在COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤： ■ N阱的形成 外延生长 &nbs … 阅读更多
光刻中常见的效应和概念
1、驻波效应（Standing Wave Effect）
现象：在光刻胶曝光的过程中，透射光与反射光（在基底或者表面）之间会发生干涉。这种相同频率的光波之间的干涉，在光刻胶的曝光区域内出现相长相消的条纹。光刻胶在显影后，在侧壁会产生波浪状的不平整。
OPC Mask(光学临近修正掩膜)
今天做用台积0.16um工艺的一个项目Ejob View时发现有些图形会在结尾处的两个直角顶点加两个小小的图形，突然就想起来上学时学MEMS相关课程时做过的一个硅悬臂梁腐蚀的实验，正常的直角腐蚀完后会变成有损缺的圆角，而在相应的位置加上修正图形，便可得到更理想的图形，网上找了个图形，可能看不太清，将就一下
OPC，为英文Optical Proximity Correction简称，翻译成中文为光学临近修正。
半导体中的各种现象和效应
半导体中有许多现象和效应，大概如下所列：
- 强场效应
－－MOS FET的结击穿、绝缘膜击穿、热电不稳定性等 - 电场效应
－－FET（场效应晶体管）等 - 隧道效应
－－隧道二极管、齐纳二极管等
浅槽隔离工艺（STI）
相信很多在现在看工艺厂的相关文档时，会看到有些图上面标有STI的注释，STI是英文 shallow trench isolation的简称，翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离.
LOCOS之bird’s beak(鸟嘴效应)
在传统的硅的局部氧化（LOCOS）过程中，当氧扩散穿越已生长的氧化物时，它也会在其它方向上扩散。一些氧原子纵向扩散进入硅，另一些氧原子横向扩散，这样就造成氮化物掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长会装氮化物的边缘抬高。这种现现被称为“鸟嘴效应”（bird’s beak）。