在传统的硅的局部氧化（LOCOS）过程中，当氧扩散穿越已生长的氧化物时，它也会在其它方向上扩散。一些氧原子纵向扩散进入硅，另一些氧原子横向扩散，这样就造成氮化物掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长会装氮化物的边缘抬高。这种现现被称为“鸟嘴效应”（bird’s beak）。
浅槽隔离工艺（STI）
相信很多在现在看工艺厂的相关文档时，会看到有些图上面标有STI的注释，STI是英文 shallow trench isolation的简称，翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离.