CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成

• Metal-2互连的形成

1. 淀积、刻蚀Metal-2        Metal-2结构的淀积与Metal-1结构的淀积完全一样。其结构由钛、铝铜合金和氮化钛三层构成。利用等离子体刻蚀机通过刻印后光刻胶中的窗口刻蚀Metal-2
2. 填充ILD-3的间隙        Metal-2刻蚀以后，利用HDPCVD设备填充金属间隙，得到至密的二氧化硅填充物
3. 淀积、平坦化ILD-3氧化物        利用等离子体优化的方法淀积ILD-3氧化物。随后平坦化氧化物得到平整的表面
4. 刻蚀via-3，淀积钛/氮化钛，淀积钨，平坦化        平坦化钨直到ILD-3氧化物的上表面。通孔中留下的钨塞为Metal-2和Metal-3间提供互连

   

• Metal-3制作一直到压点和合金制作
  重复工艺制作Metal-3和Metal-4后，完成Metal-4刻蚀，紧接着利用薄膜工艺淀积ILD-5。由于刻印的结构比先前工艺形成的尺寸要大很多，所以这一层介质不需要进行化学机械抛光。刻蚀ILD-5使得在Metal-5的淀积过程中通孔能够被金属填充。Metal-5淀积的厚度比先前的sandwich结构厚一些。刻蚀Metal-5，在必要的地方形成压焊点，在不需要的地方将金属除去。

  

工艺的最后一步包括再次生长二氧化硅层（ILD-6）以及随后生长顶层氮化硅。这一层氮化硅称为钝化层，目的是保护产品免受潮所、划伤以及沾污的影响。最后在扩散炉中进行低温合金步骤。这一步加热过程有助于提高互连金属间的冶金接触，从而提高器件的电学性能和可靠性。这一步合金操作必须小心以免产品过加热而引起永久性的结构缺陷。

• CMOS制作基本步骤的相关文章

1. CMOS制作步骤（一）：双阱工艺（twin well process）
2. CMOS制作步骤（二）：浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
3. CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
4. CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain  implants process）
5. CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
6. CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
7. CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
8. CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
9. CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
10. CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成（Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation）