OPC Mask(光学临近修正掩膜)

今天做用台积0.16um工艺的一个项目Ejob View时发现有些图形会在结尾处的两个直角顶点加两个小小的图形，突然就想起来上学时学MEMS相关课程时做过的一个硅悬臂梁腐蚀的实验，正常的直角腐蚀完后会变成有损缺的圆角，而在相应的位置加上修正图形，便可得到更理想的图形，网上找了个图形，可能看不太清，将就一下

OPC，为英文Optical Proximity Correction简称，翻译成中文为光学临近修正。

在深亚微米的半导体制造中，由于关键图形的CD已经远远小于光源的波长，所以由于光的衍射效应，导致光罩投影至硅片上面的图形有很大的变化，如线宽的变化，转角的圆化，线长的缩短等，以及各种光学临近效应。

为了避免这些效应的产生，直接修改Design house tape out 出来的Pattern,然后再交给mask shop去做mask. 例如将line end上修改成hammer head之类的pattern,诸如此类。这个修正的迭代过程就叫OPC。

现在在国内基本上有两家大的OPC tool的vendor, Synopsys和Mentor. 现在Mentor的Tool由于历史原因和市场策略的原因已经占据了国内绝大部分foundry的市场。他们都以Mentor的tool作为golden或sign off的保证。

由于OPC就是为了改善光学临近效应对wafer曝光的影响。所以他的基本工作就是对Design的layout做逐线段的切割移动，然后不断的迭代，最后做verification.所以如果你的工作仅仅是局限在OPC这块，其实也没有什么太大的东西可以关注，如果能够和Process的工艺非常紧密的联系，那倒是还可以学习到不少design和工艺上面的东西。但是到了EUV 阶段，由于光的波长相对于关键图层的关键CD,已经非常接近了。所以并不需要非常复杂的OPC,到时候OPC会变得非常狭小。关于SMO,光源和Mask的同时优化工具，我个人觉得更多的是想优化光源，特别是ASML的flexray的illumination system推出以后，更是需要SMO来先得到一个比较优化的光源。

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