微电子词典
微电子词典 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 英文 中文 出自/类别 缩写 A a hardware programming language 硬件程序设计语言 AHPL A high-level engineering programming language 一种高阶工程编程语言 FORTH A programming...
10.版图
2025年9月28日
浏览量：--
共找到 79 篇文章
显示 30 / 79 篇文章
金属层中的气隙（air gap）
金属层中的气隙（air gap） 在先进工艺节点，金属层中的 气隙（air gap） 往往被忽视，却能在电性能、可靠性甚至良率上带来致命打击。本文从成因、现象、危害到预防措施系统梳理，帮助设计与工艺团队快速识别并规避这一隐患。 --- 一、气隙从何而来？ | 根源类别 | 典型触发因素 | |---|---| | 残留气体/杂质 | 金属沉积前腔体真空不足、表面清洗不彻底 | | 工艺缺陷 |...
半导体芯片的切割道中不添加dummy会怎么样
半导体芯片的切割道中不添加dummy会怎么样 >在半导体芯片制造过程中，切割道（scribe line 或 street）是晶圆上用于分隔各个芯片（die）的细线，其主要作用是在晶圆划片（dicing）时提供指导线，以确保芯片能够准确切割。在切割道中添加dummy patterns（或称为dummy structures）是一种常见的做法，这些dummy...
西安模拟版图招聘：有效日期到2016-4-4
西安模拟版图招聘：有效日期到2016-4-4 image 要求技术熟练，有意向发送到管理员邮箱 admin@chiplayout.net 有效日期到2016-4-4号，过期请勿发。
1991年日本已控制全世界DRAM
1991年日本已控制全世界DRAM 1991年前后，全球乃至中国的新技术产业都处在一个突变的前夜。 当时，美国硅谷正浮游着一股不安的气息：在全美便携电脑市场，日本公司的产品占去了43%的市场份额，而便携机是计算机硬件行业中增长最快的部门。令硅谷感到绝望的是，日本已经控制了全世界DRAM（动态随机存取存储器）的生产。 image
2014年度(第十届)最受中国市场欢迎半导体品牌
2014年度(第十届)最受中国市场欢迎半导体品牌 ==长电科技== - 自主研发提升国际地位 长电科技是中国本土最大的封装测试企业，也是国内封装测试行业首家上市公司。本着“技术领先，客户满意”的宗旨，长电科技不断进取，努力创新。经过十几年的奋力拼搏，长电不但成为中国规模最庞大、品种最齐全、技术最先进、服务最完整的封测服务企业，而且还开发出了一系列具有自主知识产权的新型封测技术，开始占据国际封测技术...
2014年度(第十届)最受中国市场欢迎半导体品牌
2014年度(第十届)最受中国市场欢迎半导体品牌 ==长电科技== - 自主研发提升国际地位 长电科技是中国本土最大的封装测试企业，也是国内封装测试行业首家上市公司。本着“技术领先，客户满意”的宗旨，长电科技不断进取，努力创新。经过十几年的奋力拼搏，长电不但成为中国规模最庞大、品种最齐全、技术最先进、服务最完整的封测服务企业，而且还开发出了一系列具有自主知识产权的新型封测技术，开始占据国际封测技术...
台积电、三星、Intel先进制程对比
台积电、三星、Intel先进制程对比 image 台积电、三星、Intel先进制程对比，半导体评断技术实力，看的是晶体管效能、芯片金属层连结及芯片闸密度，后二者台积电都已超越英特尔，一旦台积电二年内在晶体管效能追平英特尔，台积电将可正式跃居全球半导体新霸主地位
电子元器件知识-电阻篇
电子元器件知识-电阻篇 电子电路中常用的器件包括：电阻、电容、 二极管、三极管、可控硅、轻触开关、液晶、 发光二极管、蜂鸣器、各种传感器、芯片、继 电器、变压器、压敏电阻、保险丝、光耦、滤 波器、接插件、电机、天线等。这里给大家介绍一下各个电子元器件，先从电阻开始介绍。 一、电阻种类 作为电路中最常用的器件，电阻器，通常简称为电阻（以下简称为电阻）。电阻几乎是任何一个电子线路中不可缺少的一种器件，...
电子元器件知识-电容篇
电子元器件知识-电容篇 电子电路中常用的器件包括：电阻、电容、 二极管、三极管、可控硅、轻触开关、液晶、 发光二极管、蜂鸣器、各种传感器、芯片、继 电器、变压器、压敏电阻、保险丝、光耦、滤 波器、接插件、电机、天线等。这里给大家介绍一下各个电子元器件，接下来介绍电容。 一、电容定义 电容也是最常用、最基本的电子元件之一。在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时等。...
铜核球支援下世代的半导体封装
铜核球支援下世代的半导体封装 近几年，平板与智慧型手机以超高的人气，在市场需求下急速扩张。伴随着大众对高机能需求的同时，高密度封装技术也同样被追求着，为实现高机能、高密度化，可预想到CSP的尺寸将变得愈来愈薄也愈来愈大，相对的也更期待着3 D封装化与大型WL-CSP化等新技术与新材料的出现。千住金属工业也回应这些要求，准备了许多不同目的及用途的焊材，于SEMI Taiwan中发表。 所谓的3...
2020年7纳米制程 摩尔定律的终点站
2020年7纳米制程 摩尔定律的终点站 美国国防部先进研究项目局微系统技术办公室主管罗伯特-克罗韦尔（Robert Colwell）认为，摩尔定律的终结不只对物理界影响巨大，对经济的影响也很大。克罗韦尔称：“我认为是时候为摩尔定律的终结作计划了，不只要思考它何时终结，思考它为什么终结也很有意义。”周一时，克罗韦尔在斯坦佛大学作演讲，主题为“芯片设计游戏的摩尔定律将终结”。...
DDR - DDR3与DDR2的区别
DDR - DDR3与DDR2的区别 > 一句话总结：DDR3 用 8-bit 预取、1.5 V、Reset/ZQ/P2 P 换来 更高带宽、更低功耗、更稳信号。 --- 1. 突发长度 & 预取 | 项目 | DDR2 | DDR3 | |---|---|---| | 预取深度 | 4 bit | 8 bit | | 突发长度 (BL) | 4 / 8 | 固定 BL=8 | | 附加模式 |...
DDR – DDR2与DDR的区别
DDR – DDR2与DDR的区别 > 核心频率相同，DDR2 速度翻倍，但延迟更高；更低电压+FBGA 封装让它跑得更快、更凉、更稳。 --- 1. 一句话速记 - DDR：2-bit 预取，2.5 V，TSOP，延迟低 - DDR2：4-bit 预取，1.8 V，FBGA，延迟高，带宽/功耗/散热全面优化 --- 2. 技术对照表 | 维度 | DDR | DDR2 | 影响 |...
DDR – DDR与SDRAM的区别
DDR – DDR与SDRAM的区别 > 把「DDR」「DDR1」「DDR2」这些名词一次性讲清楚，不再混淆！ --- 1. 一句话区分 | 术语 | 全称 | 核心差异 | |---|---|---| | SDRAM | Synchronous DRAM | 一个时钟周期 1 次传输（仅上升沿） | | DDR SDRAM | Double Data Rate SDRAM | 一个时钟周期 2...
DDR SDRAM简单介绍
DDR SDRAM简单介绍 > 一篇搞懂什么是 DDR、DDR2、DDR3…以及设计时要注意的关键信号 --- 1. DDR ≠ 内存条 “DDR” 只是 DDR SDRAM 的口语缩写，全称： Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory 中文：双倍速率同步动态随机存储器。 --- 2. 家族族谱 | 世代 | 核心特征 |...
NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别 > 一张思维导图帮你把 ROM、RAM、FLASH、DRAM、SRAM、PSRAM 及主流闪存卡一次说清。 --- 1. 存储器总览 | 大类 | 细分 | 掉电数据 | 访问方式 | 典型容量 | 主要应用 | |---|---|---|---|---|---| | ROM | PROM / EPROM / EEPROM |...
美首次制造出不使用半导体的晶体管
美首次制造出不使用半导体的晶体管 氮化硼 + 金量子点，室温量子隧穿颠覆传统芯片逻辑 > 科技日报讯（编译整理） > 来源：美国每日科学网站 6 月 21 日报道 > 发表日期：2025-07-31 --- 一句话看懂 美国密歇根理工大学团队首次利用 氮化硼纳米管（BNNTs） 与 3 nm 金量子点，在室温下实现 无半导体量子隧穿晶体管。 器件 1 µm 长、20 nm...
2012年度全球十大半导体塑封料厂商排名：中鹏第九
2012年度全球十大半导体塑封料厂商排名：中鹏第九 来自中国半导体行业协会封装分会的《2012年度中国半导体塑封料调研报告》信息：2012年度全球十大产销量半导体塑封料厂商排名为： 1. 日本住友电木， 2. 日本日立化成， 3. 台湾长春住工， 4. 德国汉高华威、 5. 日本松下电工， 6. 日本京瓷化学， 7. 韩国金刚高丽化学KCC， 8. 韩国三星Cheil， 9. 中国品牌中鹏SP，...
中国IC业“芯”结：IC小国真能赶追韩美日么？
中国IC业“芯”结：IC小国真能赶追韩美日么？ > 本文基于 2012–2013 年公开数据与产业观察，尝试回答三个核心问题： > 为什么中国 IC 进口额能比肩原油？ > “技术鸿沟”真的不可跨越吗？ > 后摩尔时代，我们到底该怎么打这场翻身仗？ --- 1. 尴尬的数字：进口额≈原油 | 指标 | 2012 年数据 | |---|---| | 集成电路进口数量 | 2418.2 亿片，同比...
感叹
感叹 每一个电路都可以做的很完美,对应的版图也可以画的很艺术，需要的是耐心和细心，当然也要有时间，至少我这么认为。
想开点吧
想开点吧 `txt 公交车上几个民工在讨论 ::: chat title="公交车上。。。" {:2013-06-08 09:25:06} {民工A} 听说苹果的iphone 5不错，多少钱啊？ {民工B} 这我知道，要8000多！ {民工C} 这么贵啊，都快要我一个月工资了.......... ::: 周围人默默地收起了手机，眼角泛起了晶莹的泪光......... `
减少芯片失效：芯片焊接（die Attach）工艺优化
减少芯片失效：芯片焊接（die Attach）工艺优化 在器件的生产过程中，芯片焊接是封装过程中的重点控制工序。此工艺的目的是将芯片通过融化的合金焊料粘结在引线框架上，使芯片的集电极与引线框架的散热片形成良好的欧姆接触和散热通路。由于固体表面的复杂性和粘结剂的不同特性，目前存在的吸附理论、静电理论、扩散理论、机械理论、化学键理论和配位键理论，都不能单一地解释各种表面与粘接剂的粘接机理。任何一个固体...
半导体工艺中几种常见的光刻方法
半导体工艺中几种常见的光刻方法 > 光刻是芯片制造的核心环节，不同的曝光方式决定了分辨率、良率和成本。本文用一张表带你快速看懂三种主流方案的差异与典型应用。 | 曝光方式 | 分辨率 | 掩膜损伤 | 量产良率 | 典型应用 | | :-------------------- | :----------------------- | :--------------- |...
版图设计规则主要内容以及表示方法
版图设计规则主要内容以及表示方法 什么是设计规则？ 考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的最小值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。...
晶体管的名称属性—IGBT和MCT
晶体管的名称属性—IGBT和MCT >总的来说, 晶体管可以划分为两类：双极型晶体管(BT)和场效应晶体管(FET)。 基本特点： 双极型晶体管 是两种载流子都参与工作的器件，通过的电流主要是少数载流子的扩散电流，是电流控制的器件，BJT和可控硅等晶闸管都是典型的双极型晶体管； 场效应晶体管 是一种载流子——多数载流子工作的器件，通过的电流主要是多数载流子的漂移电流，是电压控制的器件，JFET、M...
一颗 45nm CPU的制造过程
一颗 45nm CPU的制造过程 沙子 硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(Si O2)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。 硅熔炼 12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭(...
美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管
美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管 据物理学家组织网12月6日（北京时间）报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”（栅极）的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果将于12月8日至12日在旧金山举行的国际电子元器件会议上以两篇论文的...
CMP后清洗技术进展
CMP后清洗技术进展 摩尔定律的一个重大副作用就是从不明确地确定半导体产业中的技术问题。对目前制造节点完全适用的材料和工艺可能几年后就不够了。问题出自特征尺寸的不断缩小。极细线条中的性能与大块材料的性质能有极大的差别。 根据下式，减少粗导线的截面积电阻就增加： R=(l\*ρ)/A 式中，l=导线长度，ρ=电阻率=常数，A=截面积。但是，当线宽在100nm以下时，界面处的散射和晶粒边界比块状材料性...
化学机械平坦化CMP
化学机械平坦化CMP 到了20世纪80年代后期，IBM开发了化学机械平坦化（chemical mechanical planarization, CMP）的全局平坦化方法。它成为20世纪90年代高密度半导体制造中平坦化的标准。 自20世纪90年代中期以来，化学机械平坦化成为实现多层金属技术的主要平坦化技术。 在硅片上可以进行局部平坦化，也可以对包含所有芯片的整个硅片表面进行全局平坦化。平坦化的类型...